BDW21B Todos los transistores

 

BDW21B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW21B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDW21B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:178K  inchange semiconductor
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BDW21B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW21DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operationComplement to Type BDW22100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE M

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History: CIL351 | KSB1149 | BC327BP | 2SA1757 | MJE3371 | KZT4401

 

 
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