BDW21B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW21B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO220

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BDW21B datasheet

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BDW21B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW21 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation Complement to Type BDW22 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE M

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