BDW21B - описание и поиск аналогов

 

BDW21B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDW21B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW21B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW21B даташит

 9.1. Size:178K  inchange semiconductor
 bdw21.pdf pdf_icon

BDW21B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW21 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation Complement to Type BDW22 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE M

Другие транзисторы: BDW12, BDW12A, BDW14, BDW14A, BDW16, BDW16A, BDW21, BDW21A, 431, BDW21C, BDW22, BDW22A, BDW22B, BDW22C, BDW23, BDW23A, BDW23B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.