BDW30 Todos los transistores

 

BDW30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW30
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDW30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
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BDW30

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW30DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplication

Otros transistores... BDW23C , BDW24 , BDW24A , BDW24C , BDW25 , BDW25-10 , BDW25-4 , BDW25-6 , 2N3055 , BDW32 , BDW34 , BDW36 , BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , BDW43 .

History: MMBT6520 | 3DD167C | TA1828 | 2SD1738 | 2SC2960

 

 
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