BDW30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW30

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

Búsqueda de reemplazo de BDW30

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BDW30 datasheet

..1. Size:180K inchange semiconductor
bdw30.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW30 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V(Max.) @I = 10A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 20(Min.) @I = 25A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power application

Otros transistores... BDW23C, BDW24, BDW24A, BDW24C, BDW25, BDW25-10, BDW25-4, BDW25-6, 2N3904, BDW32, BDW34, BDW36, BDW39, BDW40, BDW41, BDW42, BDW43

BDW30 Datasheet. Equivalente