BDW30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW30 даташит

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdw30.pdf pdf_icon

BDW30

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW30 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V(Max.) @I = 10A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 20(Min.) @I = 25A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power application

Другие транзисторы: BDW23C, BDW24, BDW24A, BDW24C, BDW25, BDW25-10, BDW25-4, BDW25-6, 2N3904, BDW32, BDW34, BDW36, BDW39, BDW40, BDW41, BDW42, BDW43