Справочник транзисторов. BDW30

 

Биполярный транзистор BDW30 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW30
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDW30

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdw30.pdf pdf_icon

BDW30

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW30DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplication

Другие транзисторы... BDW23C , BDW24 , BDW24A , BDW24C , BDW25 , BDW25-10 , BDW25-4 , BDW25-6 , 2N3055 , BDW32 , BDW34 , BDW36 , BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , BDW43 .

History: 3DD167C | 2SD1738 | TA1828

 

 
Back to Top

 


 
.