BDW32 Todos los transistores

 

BDW32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDW32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdw32.pdf pdf_icon

BDW32

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW32DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplication

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