BDW32 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW32
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BDW32 datasheet
bdw32.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW32 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V(Max.) @I = 10A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 20(Min.) @I = 25A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power application
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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