Справочник транзисторов. BDW32

 

Биполярный транзистор BDW32 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW32
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDW32

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdw32.pdf pdf_icon

BDW32

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW32DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplication

Другие транзисторы... BDW24 , BDW24A , BDW24C , BDW25 , BDW25-10 , BDW25-4 , BDW25-6 , BDW30 , C1815 , BDW34 , BDW36 , BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , BDW43 , BDW44 .

History: 2SD1763A | KSA733L | MJD200T4G

 

 
Back to Top

 


 
.