BDW36 Todos los transistores

 

BDW36 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW36
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDW36 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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BDW36

isc Silicon NPN Power Transistors BDW36DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 180V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedLow Collector Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in industrial-military power amplifier andswitching cir

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History: DRAF144T | 2SC5294A | 2SC1003A | BCV63B | 2SC3284 | 2SA1480C | KT626V

 

 
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