BDW36 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW36

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW36 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bdw36.pdf pdf_icon

BDW36

isc Silicon NPN Power Transistors BDW36 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 180V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in industrial-military power amplifier and switching cir

Другие транзисторы: BDW24C, BDW25, BDW25-10, BDW25-4, BDW25-6, BDW30, BDW32, BDW34, C945, BDW39, BDW40, BDW41, BDW42, BDW43, BDW44, BDW45, BDW46