BDW45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW45
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO220
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BDW45 datasheet
bdw45.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW45 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = -5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0A CE(sat) C = -3.0V(Max.)@ I = -10A C Complement to Type BDW40 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable
Otros transistores... BDW34 , BDW36 , BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , BDW43 , BDW44 , BC337 , BDW46 , BDW48 , BDW51 , BDW51A , BDW51B , BDW51C , BDW52 , BDW52A .
History: 2SA1606E | 2SD1036 | BDW42
History: 2SA1606E | 2SD1036 | BDW42
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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