BDW45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW45

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW45 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdw45.pdf pdf_icon

BDW45

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW45 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = -5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0A CE(sat) C = -3.0V(Max.)@ I = -10A C Complement to Type BDW40 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable

Другие транзисторы: BDW34, BDW36, BDW39, BDW40, BDW41, BDW42, BDW43, BDW44, BC337, BDW46, BDW48, BDW51, BDW51A, BDW51B, BDW51C, BDW52, BDW52A