BDW53D Todos los transistores

 

BDW53D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW53D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDW53D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdw53.pdf pdf_icon

BDW53D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW53DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 750(Min.)@ I = 1.5A, V = 3VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation VoltageComplement to Type BDW54Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesi

Otros transistores... BDW51C , BDW52 , BDW52A , BDW52C , BDW53 , BDW53A , BDW53B , BDW53C , 100DA025D , BDW54 , BDW54A , BDW54B , BDW54C , BDW55 , BDW56 , BDW57 , BDW58 .

History: KT6111G | UN521M

 

 
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