BDW53D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW53D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW53D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW53D даташит

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdw53.pdf pdf_icon

BDW53D

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW53 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 750(Min.)@ I = 1.5A, V = 3V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage Complement to Type BDW54 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi

Другие транзисторы: BDW51C, BDW52, BDW52A, BDW52C, BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C, TIP31C, BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C, BDW55, BDW56, BDW57, BDW58