BDW55 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW55

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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BDW55 datasheet

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BDW55

isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = 45V- BDW55 CEO(SUS) = 60V- BDW57 = 80V- BDW59 Complement to Type BDW56/58/60 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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