BDW55 Todos los transistores

 

BDW55 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW55
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

BDW55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
bdw55 bdw57 bdw59.pdf pdf_icon

BDW55

isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 45V- BDW55CEO(SUS)= 60V- BDW57= 80V- BDW59Complement to Type BDW56/58/60Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PBSS5240X | 2SC1030 | 2N5034 | DDTA124XUA | RT1P237U | D32H1

 

 
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