BDW55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW55

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BDW55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW55 даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdw55 bdw57 bdw59.pdf pdf_icon

BDW55

isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = 45V- BDW55 CEO(SUS) = 60V- BDW57 = 80V- BDW59 Complement to Type BDW56/58/60 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C, 2SC2073, BDW56, BDW57, BDW58, BDW59, BDW60, BDW63, BDW63A, BDW63B