Биполярный транзистор BDW55 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BDW55
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам