BDW60 Todos los transistores

 

BDW60 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW60
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126

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BDW60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdw56 bdw58 bdw60.pdf

BDW60 BDW60

isc Silicon PNP Power Transistors BDW56/58/60DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = -45V- BDW56CEO(SUS)= -60V- BDW58= -80V- BDW60Complement to Type BDW55/57/59Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM R

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