BDW60 Todos los transistores

 

BDW60 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW60

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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BDW60 datasheet

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
bdw56 bdw58 bdw60.pdf pdf_icon

BDW60

isc Silicon PNP Power Transistors BDW56/58/60 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = -45V- BDW56 CEO(SUS) = -60V- BDW58 = -80V- BDW60 Complement to Type BDW55/57/59 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM R

Otros transistores... BDW54A , BDW54B , BDW54C , BDW55 , BDW56 , BDW57 , BDW58 , BDW59 , 2SC4793 , BDW63 , BDW63A , BDW63B , BDW63C , BDW63D , BDW64 , BDW64A , BDW64B .

History: 2SC15 | 2SC2613K | 2SA2126

 

 

 


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