Биполярный транзистор BDW60 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW60
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
BDW60 Datasheet (PDF)
..1. Size:215K inchange semiconductor
bdw56 bdw58 bdw60.pdf
bdw56 bdw58 bdw60.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors BDW56/58/60DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = -45V- BDW56CEO(SUS)= -60V- BDW58= -80V- BDW60Complement to Type BDW55/57/59Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050