BDX16 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX16
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO3
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BDX16 datasheet
bdx16.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDX16 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = -3A C Collector Power Dissipation- P = 25W @T = 25 C C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -140V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose switching and linear amplifier appl
bdx16a.pdf
BDX16AA MECHANICAL DATA Dimensions in mm 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 PNP POWER (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. TRANSISTOR 1 2 1.27 (0.050) 4.83 (0.190) 1.91 (0.750) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO66 Package. (TO-213AA) Pin 1 Base Pin 2 Emitter Case - Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector
Otros transistores... BDX12 , BDX13 , BDX13-4 , BDX13-5 , BDX13-6 , BDX13-7 , BDX14 , BDX15 , BD139 , BDX18 , BDX18N , BDX20 , BDX22 , BDX22-4 , BDX22-5 , BDX22-6 , BDX22-7 .
History: BDX14 | UN111H | 2SC3326
History: BDX14 | UN111H | 2SC3326
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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