Биполярный транзистор BDX16 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX16
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3
BDX16 Datasheet (PDF)
bdx16.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDX16DESCRIPTIONContunuous Collector Current-I = -3ACCollector Power Dissipation-: P = 25W @T = 25C CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose switching and linearamplifier appl
bdx16a.pdf
BDX16AAMECHANICAL DATADimensions in mm6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68PNP POWER (0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.TRANSISTOR1 21.27 (0.050)4.83 (0.190) 1.91 (0.750)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package. (TO-213AA)Pin 1 Base Pin 2 Emitter Case - CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated)VCBO Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
