BDX20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX20
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDX20
BDX20 Datasheet (PDF)
bdx20.pdf
BDX20PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASELF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingThermal Fatigue InspectionABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitVCBO Collector to Base Voltage -60 VVCEO #Collector-Emitter Voltage -140 VVCEX Collector-Emitter Voltage VBE=1.5 V -160 VVEBO Emitter-Base Voltage -7 VIC Collector Current Continuous -10 AI
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isc Silicon PNP Power Transistor BDX20DESCRIPTIONHigh Current CapabilityCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF large signal power amplification.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
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