Биполярный транзистор BDX20 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX20
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3
BDX20 Datasheet (PDF)
bdx20.pdf
BDX20PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASELF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingThermal Fatigue InspectionABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitVCBO Collector to Base Voltage -60 VVCEO #Collector-Emitter Voltage -140 VVCEX Collector-Emitter Voltage VBE=1.5 V -160 VVEBO Emitter-Base Voltage -7 VIC Collector Current Continuous -10 AI
bdx20.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDX20DESCRIPTIONHigh Current CapabilityCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF large signal power amplification.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
