BDX86B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX86B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO3
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BDX86B datasheet
bdx86 bdx86a bdx86b bdx86c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = -3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A CEO(SUS) -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C Complement to Type BDX85/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS D
bdx86 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= -3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear
Otros transistores... BDX84B , BDX84C , BDX85 , BDX85A , BDX85B , BDX85C , BDX86 , BDX86A , 2SD669 , BDX86C , BDX87 , BDX87A , BDX87B , BDX87C , BDX88 , BDX88A , BDX88B .
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Liste
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