BDX86B - описание и поиск аналогов

 

BDX86B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX86B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX86B

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX86B даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx86 bdx86a bdx86b bdx86c.pdf pdf_icon

BDX86B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = -3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A CEO(SUS) -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C Complement to Type BDX85/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS D

 9.1. Size:269K  inchange semiconductor
 bdx86 a b c.pdf pdf_icon

BDX86B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= -3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear

Другие транзисторы... BDX84B , BDX84C , BDX85 , BDX85A , BDX85B , BDX85C , BDX86 , BDX86A , 2SD669 , BDX86C , BDX87 , BDX87A , BDX87B , BDX87C , BDX88 , BDX88A , BDX88B .

History: BDX68C | BEL6109

 

 

 


 
↑ Back to Top
.