BDY29 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY29
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BDY29 datasheet
bdy29.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY29 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 75V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power ,high current and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING
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History: BDY28C | BDY80C | BDY79 | BDY80A
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Liste
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