BDY29 Todos los transistores

 

BDY29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY29
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY29 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
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BDY29

isc Silicon NPN Power Transistor BDY29DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 75V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power ,high current andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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History: 2SC4162L

 

 
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