BDY29 Todos los transistores

 

BDY29 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY29

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 75 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BDY29 datasheet

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
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BDY29

isc Silicon NPN Power Transistor BDY29 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 75V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power ,high current and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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