Биполярный транзистор BDY29 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDY29
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
BDY29 Datasheet (PDF)
..1. Size:203K inchange semiconductor
bdy29.pdf
bdy29.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY29DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 75V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power ,high current andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050