BDY39-4 Todos los transistores

 

BDY39-4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY39-4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY39-4 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
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BDY39-4

isc Silicon NPN Power Transistor BDY39DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =25-100@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.7V(Max)@ I = 4ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power AF output stages and instabilized power supplies.A

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History: MP8134 | ZXTP2041F | SRC1201EF | MP602 | 2SAB22

 

 
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