Биполярный транзистор BDY39-4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDY39-4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3
BDY39-4 Datasheet (PDF)
bdy39.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY39DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =25-100@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.7V(Max)@ I = 4ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power AF output stages and instabilized power supplies.A
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050