BDY54 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY54  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BDY54 datasheet

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BDY54

. BDY53 BDY54 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY53 60 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY54 120 BDY53 100 VCBO Collector-Base Voltage V BDY54 180 BDY53 VEBO Emitter-Base Voltage 7V BDY54 BDY53 IC Collector Current 12 A BDY54 BDY53 IB Base Current 5

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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BDY54

isc Silicon NPN Power Transistor BDY54 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min.) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1 V(Max)@ I = 4A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications AB

 0.1. Size:141K  comset
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BDY54

. BDY53 BDY54 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY53 60 Collector-Emitter Voltage VCEO V BDY54 120 BDY53 100 VCBO Collector-Base Voltage V BDY54 180 BDY53 VEBO Emitter-Base Voltage 7V BDY54 BDY53 IC Collector Current 12 A BDY54 BDY53 IB Base Current 5

Otros transistores... BDY46, BDY47, BDY48, BDY48-200, BDY48-300, BDY48-400, BDY49, BDY53, TIP2955, BDY55, BDY56, BDY57, BDY57A, BDY58, BDY58R, BDY60, BDY60A