BDY62 Todos los transistores

 

BDY62 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY62

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO3

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BDY62 datasheet

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
bdy62.pdf pdf_icon

BDY62

isc Silicon NPN Power Transistor BDY62 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 30V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Otros transistores... BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , BDY61 , MPSA42 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 , BDY67 , BDY68 , BDY69 , BDY70 .

History: BC857S

 

 

 


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