Биполярный транзистор BDY62 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDY62
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO3
BDY62 Datasheet (PDF)
..1. Size:200K inchange semiconductor
bdy62.pdf
bdy62.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY62DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 30V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE
Другие транзисторы... BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , BDY61 , BF422 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 , BDY67 , BDY68 , BDY69 , BDY70 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050