BDY81B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY81B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO220
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BDY81B Datasheet (PDF)
bdy81.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDY81DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 4ACCollector Power Dissipation-: P = 36W @T = 25C CComplement to Type BDY83Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Otros transistores... BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C , BDY81 , BDY81A , TIP41 , BDY81C , BDY82 , BDY82A , BDY82B , BDY82C , BDY83 , BDY83A , BDY83B .
History: BC262C | ZTX107C | 2N146 | 2SA1474F | KT601A | 3CG1020
History: BC262C | ZTX107C | 2N146 | 2SA1474F | KT601A | 3CG1020



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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