BDY81B - описание и поиск аналогов

 

BDY81B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY81B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDY81B

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY81B даташит

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bdy81.pdf pdf_icon

BDY81B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY81 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 4A C Collector Power Dissipation- P = 36W @T = 25 C C Complement to Type BDY83 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы... BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C , BDY81 , BDY81A , 2N5401 , BDY81C , BDY82 , BDY82A , BDY82B , BDY82C , BDY83 , BDY83A , BDY83B .

History: BDX96 | BDY82

 

 

 


 
↑ Back to Top
.