BDY82B Todos los transistores

 

BDY82B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY82B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 500 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BDY82B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BDY82B datasheet

 9.1. Size:220K  inchange semiconductor
bdy82.pdf pdf_icon

BDY82B

isc Silicon PNP Power Transistor BDY82 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = -4A C Collector Power Dissipation- P = 36W @T = 25 C C Complement to Type BDY80 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

Otros transistores... BDY80B , BDY80C , BDY81 , BDY81A , BDY81B , BDY81C , BDY82 , BDY82A , C5198 , BDY82C , BDY83 , BDY83A , BDY83B , BDY83C , BDY87 , BDY88 , BDY89 .

History: CMBA847E | CMBT4125 | CJF15032 | CJF15031 | CLD667

 

 

 

 

↑ Back to Top
.