BDY82B - описание и поиск аналогов

 

BDY82B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY82B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDY82B

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY82B даташит

 9.1. Size:220K  inchange semiconductor
 bdy82.pdf pdf_icon

BDY82B

isc Silicon PNP Power Transistor BDY82 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = -4A C Collector Power Dissipation- P = 36W @T = 25 C C Complement to Type BDY80 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

Другие транзисторы... BDY80B , BDY80C , BDY81 , BDY81A , BDY81B , BDY81C , BDY82 , BDY82A , C5198 , BDY82C , BDY83 , BDY83A , BDY83B , BDY83C , BDY87 , BDY88 , BDY89 .

History: 2SC957

 

 

 


 
↑ Back to Top
.