BF175 Todos los transistores

 

BF175 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF175
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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BF175 Datasheet (PDF)

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BF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBFJ174 to 177P-channel silicon field-effect transistorsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationP-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177DESCRIPTIONSilicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi

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History: TI490 | BCP56 | MP3615 | 40366

 

 
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