BF175 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF175
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO72
- Selección de transistores por parámetros
BF175 Datasheet (PDF)
pmbfj174 pmbf175 pmbf176 pmbf177.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBFJ174 to 177P-channel silicon field-effect transistorsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationP-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177DESCRIPTIONSilicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 3CG743A | ECH8503-TL-H | BF321 | MPS2484 | ZTX614 | BD120 | 2SC889
History: 3CG743A | ECH8503-TL-H | BF321 | MPS2484 | ZTX614 | BD120 | 2SC889



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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