BF175 - описание и поиск аналогов

 

BF175. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF175

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для BF175

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF175 даташит

 0.1. Size:228K  philips
 pmbfj174 pmbf175 pmbf176 pmbf177.pdf pdf_icon

BF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors Product specification April 1995 NXP Semiconductors Product specification P-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177 DESCRIPTION Silicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi

Другие транзисторы: BF166, BF167, BF168, BF169, BF169R, BF170, BF173, BF174, 2SA1943, BF176, BF177, BF178, BF179, BF179A, BF179B, BF179C, BF180

 

 

 

 

↑ Back to Top
.