Справочник транзисторов. BF175

 

Биполярный транзистор BF175 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF175
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для BF175

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF175 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:228K  philips
pmbfj174 pmbf175 pmbf176 pmbf177.pdfpdf_icon

BF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBFJ174 to 177P-channel silicon field-effect transistorsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationP-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177DESCRIPTIONSilicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi

Другие транзисторы... BF166 , BF167 , BF168 , BF169 , BF169R , BF170 , BF173 , BF174 , BC337 , BF176 , BF177 , BF178 , BF179 , BF179A , BF179B , BF179C , BF180 .

History: GT804A | 2S503 | LBC817-16LT1G | ET400

 

 
Back to Top

 


 
.