BF494D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF494D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BF494D
BF494D Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF494; BF495NPN medium frequency transistors1997 Jul 08Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium frequency transistors BF494; BF495FEATURES PINNING Low current (max. 30 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage
bf494.pdf
July 2006BF494tmNPN RF TransistorTO-921. Collector 2. Emitter 3. BaseAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage 20 VVCBO Collector-Base Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0 VIC Collector Current - Continuous 30 mATJ Junction Temperature 150 CTSTG Storage Temperature Range - 55 ~ 150 C
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTORS BF494BF495TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL Value UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Base Voltage 30 VVEBOEmitter Base Vol
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
