BF858EA Todos los transistores

 

BF858EA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF858EA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 270 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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BF858EA Datasheet (PDF)

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BF858EA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF857; BF858; BF859NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859DESCRIPTIONNPN transistors in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version

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History: D62T3575 | 2N5691

 

 
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