Биполярный транзистор BF858EA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF858EA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 270 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO251
BF858EA Datasheet (PDF)
9.1. Size:63K philips
bf857 bf858 bf859.pdf
bf857 bf858 bf859.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF857; BF858; BF859NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859DESCRIPTIONNPN transistors in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
