BF859EA Todos los transistores

 

BF859EA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF859EA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BF859EA Datasheet (PDF)

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BF859EA

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BF859EA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D067BF859NPN high-voltage transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BF859DESCRIPTIONNPN transistor in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b isavailable on re

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History: KSC2756Y | NSVT45010MW6T1G | ZTX953 | KSR16 | 2SC1623T | BD385 | 3DD201

 

 
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