BF859EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF859EA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BF859EA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF859EA даташит

 9.1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF859EA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version

 9.2. Size:47K  philips
 bf859.pdf pdf_icon

BF859EA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D067 BF859 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 14 Product specification Supersedes data of 1996 Dec 09 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF859 DESCRIPTION NPN transistor in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b is available on re

Другие транзисторы: BF857BA, BF857EA, BF858, BF858A, BF858EA, BF859, BF859A, BF859BA, BD139, BF860, BF869, BF869A, BF869BA, BF869EA, BF869S, BF869SA, BF870