Справочник транзисторов. BF859EA

 

Биполярный транзистор BF859EA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF859EA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для BF859EA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF859EA Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF859EA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF857; BF858; BF859NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859DESCRIPTIONNPN transistors in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version

 9.2. Size:47K  philips
 bf859.pdf pdf_icon

BF859EA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D067BF859NPN high-voltage transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BF859DESCRIPTIONNPN transistor in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b isavailable on re

Другие транзисторы... BF857BA , BF857EA , BF858 , BF858A , BF858EA , BF859 , BF859A , BF859BA , 2N5551 , BF860 , BF869 , BF869A , BF869BA , BF869EA , BF869S , BF869SA , BF870 .

History: 8550D | SMMBT6521LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.