BFG23 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG23

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO131

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BFG23 datasheet

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BFG23

BFG 235 NPN Silicon RF Transistor For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 120mA to 250mA Power amplifiers for DECT and PCN systems Integrated emitter ballast resistor fT = 5.5 GHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Order

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