BFG23. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG23

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для BFG23

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG23 даташит

 0.1. Size:48K  siemens
 bfg235.pdf pdf_icon

BFG23

BFG 235 NPN Silicon RF Transistor For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 120mA to 250mA Power amplifiers for DECT and PCN systems Integrated emitter ballast resistor fT = 5.5 GHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Order

Другие транзисторы: BFG193, BFG194, BFG195, BFG196, BFG197, BFG197X, BFG198, BFG19S, BC547B, BFG235, BFG25AX, BFG32, BFG33, BFG33X, BFG34, BFG35, BFG51