BFG32 Todos los transistores

 

BFG32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.075 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4500 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO131
 

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BFG32 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.2. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

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