BFG32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG32

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.075 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для BFG32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG32 даташит

 0.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.2. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325W/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fr

Другие транзисторы: BFG196, BFG197, BFG197X, BFG198, BFG19S, BFG23, BFG235, BFG25AX, MPSA42, BFG33, BFG33X, BFG34, BFG35, BFG51, BFG54, BFG65, BFG65T