Справочник транзисторов. BFG32

 

Биполярный транзистор BFG32 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG32
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.075 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO131
 

 Аналог (замена) для BFG32

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG32 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.2. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG32

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

Другие транзисторы... BFG196 , BFG197 , BFG197X , BFG198 , BFG19S , BFG23 , BFG235 , BFG25AX , 13001-A , BFG33 , BFG33X , BFG34 , BFG35 , BFG51 , BFG54 , BFG65 , BFG65T .

 

 
Back to Top

 


 
.