BFG35 Todos los transistores

 

BFG35 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG35
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de BFG35

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFG35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  philips
 bfg35 3.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGpageNPN planar epitaxial transistor 4PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT2231 emitterenvelope, intended for wideband2 baseamplifier a

 ..2. Size:283K  philips
 bfg35.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12NXP Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGlfpage4NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT223 1 emitterenvelope, intended for wideband 2 baseamplifi

Otros transistores... BFG19S , BFG23 , BFG235 , BFG25AX , BFG32 , BFG33 , BFG33X , BFG34 , 2SC1740 , BFG51 , BFG54 , BFG65 , BFG65T , BFG67 , BFG67X , BFG90A , BFG91A .

 

 
Back to Top

 


 
.