BFG35 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BFG35
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFG35

BFG35 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGpageNPN planar epitaxial transistor 4PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT2231 emitterenvelope, intended for wideband2 baseamplifier a

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12NXP Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGlfpage4NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT223 1 emitterenvelope, intended for wideband 2 baseamplifi

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: FN1F4N | SD4957 | KSD5011 | 2SD2389P | FMMT908 | 2SC3400 | 2SD232A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050