BFG35 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG35

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO251

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BFG35 datasheet

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BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor Product specification 1999 Aug 24 Supersedes data of 1995 Sep 12 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFG35 DESCRIPTION PINNING page NPN planar epitaxial transistor 4 PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope, intended for wideband 2 base amplifier a

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BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor Product specification 1999 Aug 24 Supersedes data of 1995 Sep 12 NXP Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFG35 DESCRIPTION PINNING lfpage 4 NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope, intended for wideband 2 base amplifi

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