Биполярный транзистор BFG35 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFG35
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO251
BFG35 Datasheet (PDF)
bfg35 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGpageNPN planar epitaxial transistor 4PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT2231 emitterenvelope, intended for wideband2 baseamplifier a
bfg35.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12NXP Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGlfpage4NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT223 1 emitterenvelope, intended for wideband 2 baseamplifi
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050