Справочник транзисторов. BFG35

 

Биполярный транзистор BFG35 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG35
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для BFG35

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  philips
 bfg35 3.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGpageNPN planar epitaxial transistor 4PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT2231 emitterenvelope, intended for wideband2 baseamplifier a

 ..2. Size:283K  philips
 bfg35.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG35NPN 4 GHz wideband transistorProduct specification 1999 Aug 24Supersedes data of 1995 Sep 12NXP Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFG35DESCRIPTION PINNINGlfpage4NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTIONmounted in a plastic SOT223 1 emitterenvelope, intended for wideband 2 baseamplifi

Другие транзисторы... BFG19S , BFG23 , BFG235 , BFG25AX , BFG32 , BFG33 , BFG33X , BFG34 , 2SC1740 , BFG51 , BFG54 , BFG65 , BFG65T , BFG67 , BFG67X , BFG90A , BFG91A .

History: D45C4

 

 
Back to Top

 


 
.