BFG35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG35

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для BFG35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG35 даташит

 ..1. Size:97K  philips
 bfg35 3.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor Product specification 1999 Aug 24 Supersedes data of 1995 Sep 12 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFG35 DESCRIPTION PINNING page NPN planar epitaxial transistor 4 PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope, intended for wideband 2 base amplifier a

 ..2. Size:283K  philips
 bfg35.pdf pdf_icon

BFG35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor Product specification 1999 Aug 24 Supersedes data of 1995 Sep 12 NXP Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFG35 DESCRIPTION PINNING lfpage 4 NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope, intended for wideband 2 base amplifi

Другие транзисторы: BFG19S, BFG23, BFG235, BFG25AX, BFG32, BFG33, BFG33X, BFG34, TIP32C, BFG51, BFG54, BFG65, BFG65T, BFG67, BFG67X, BFG90A, BFG91A