BFJ21 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFJ21

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 1850 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 22

Encapsulados: TO72

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BFJ21 datasheet

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BFJ21

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212 N-channel field-effect transistors Product specification 1997 Dec 01 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistors PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212 FEATURES PINNING - SOT23 High speed switching PIN SYMBOL DESCRIPTION Interchangeability of dr

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