BFJ21. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFJ21

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 1850 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 22

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для BFJ21

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFJ21 даташит

 0.1. Size:100K  philips
 pmbfj210 pmbfj211 pmbfj212 1.pdf pdf_icon

BFJ21

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212 N-channel field-effect transistors Product specification 1997 Dec 01 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistors PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212 FEATURES PINNING - SOT23 High speed switching PIN SYMBOL DESCRIPTION Interchangeability of dr

Другие транзисторы: BFG93A, BFG93AX, BFG94, BFG96, BFG97, BFJ17, BFJ18, BFJ19, C1815, BFJ22, BFJ45, BFJ46, BFJ47, BFJ48, BFJ49, BFJ50, BFJ51