BFQ17P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ17P

Código: FD

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT89

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BFQ17P datasheet

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BFQ17P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ17 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFQ17 DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a SOT89 plastic PIN DESCRIPTION envelope intended for application in Code FA thick and thin-film circuits. The p

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