BFQ17P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ17P

Маркировка: FD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BFQ17P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ17P даташит

 9.1. Size:31K  philips
 bfq17 cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ17P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ17 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFQ17 DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a SOT89 plastic PIN DESCRIPTION envelope intended for application in Code FA thick and thin-film circuits. The p

Другие транзисторы: BFQ134, BFQ135, BFQ136, BFQ149, BFQ161, BFQ162, BFQ163, BFQ17, A1015, BFQ18, BFQ181, BFQ182, BFQ18A, BFQ19, BFQ193, BFQ194, BFQ196